- Dimensões (mm): 22x80
- Fator de forma: APARAR
- Garantia do fabricante: 5 anos
- DWPD (vezes/dia): 0,3
- TBW (TB): 300
- Leia IOPS (mil): 400
- Escrever IOPS (mil): 470
- MTBF: 1,5
- Resistência ao choque no trabalho (G): 1500
- Velocidade de leitura externa (MB/s): 3100
- Velocidade de gravação externa (MB/s): 2600
- Velocidade de leitura externa (MB/s): NVMe
- Tipo de memória: 3D TLC NAND
Tipo | interno |
Capacidade | 500 GB |
Fator de forma | M.2 |
M.2 interface | PCI-E 3.0 4x |
Controlador | Samsung Pablo |
Tipo de memória | 3D TLC NAND |
NVMe | / 1.4 / |
Velocidade de gravação externa | 2600 MB/s |
Velocidade de leitura externa | 3100 MB/s |
Choque em execução | 1500 G |
MTBF | 1,5 h |
Gravar IOPS | 470K |
Ler IOPS | 400K |
TBW | 300 TB |
DWPD | 0,3 vezes/dia |
Garantia do fabricante | 5 anos |
TRIM | |
Dimensões | 22x80 mm |
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